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| 受惠價格上揚及產能增加帶動,記憶體廠華邦電2018年第2季稅後淨利達新台幣22.58億元,較2017年同期倍增,華邦電總經理詹東義指出, 2大產品線DRAM、Flash於2018年下半將穩定發展;且新產能將在2019年初陸續到位,並成為未來2年貢獻營運成長的動能,並看好華邦從2018年一路旺到2020年。
詹東義表示,由於DRAM應用需求增加,2018年上半DRAM業務維持穩定,預期下半年利基型記憶體市況也將穩健成長,透過整體投片量持續增加,DRAM產能也略有增加;至於NOR Flash部分,他也指出,儘管第1季市場一度出現季節性調節和庫存調整,但需求已在第2季出現反彈,故整體需求供應從第2季開始趨於平衡,至於SLC NAND Flash則呈現強勁需求,預計下半年NOR Flash的供需平衡。
為了配合未來2年市場需求的成長,詹東義表示,近2年陸續共投資約新台幣350~400億元,主要用於中科廠的投片及製程提升,故台中廠12吋的月產能將從現有的4.4萬片達到5.4萬片,成長幅度逾2成,而新增加的產能將會分配給DRAM與Flash,不過5.4萬片將是台中廠空間發揮的極限,接下來擴產需求將會交由高雄路竹廠接棒。
除了新增產能外,詹東義表示,華邦電也將繼續朝新的技術發展,在DRAM的部分,2018年的重頭戲會全力進入自主研發技術38奈米的大量生產,第4季開始導入25奈米量產,明年將由25奈米逐步取代38奈米,進一步提升位元產出的速度。
針對Flash的部分,詹東義指出,近來SLC NAND Flash的市場需求成長速度非常的快,目前公司主推的許多新產品,包括車用等級的SLC NAND Flash,serial NAND Flash以及1.2V SPI Flash,其中1.2V SPI Flash應用在物聯網的產品。
華邦電先前也公布將於南科高雄園區大舉斥資逾3,000億元建新廠,目前已按照進度進行中,但目前董事會仍尚未通過新的資本支出案,而華邦電子董事長焦佑鈞曾表示,新廠希望9月動土,預計將於2020年裝機。
詹東義認為,由於在產能增加以及製程提升下,預見華邦電將可看到快速成長的動能,並支持未來2019年~2020年的業務成長,不論是生意及實力都會快速成長,而近期的美中貿易戰的影響估計仍有限,要觀察是否影響長期的市場需求。
華邦電子第2季獲利攀高,每股純益0.54元,累計2018年上半歸屬母公司淨利為37.26億元,每股純益為0.94元。... |
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